Anar a: Buscar
FIB > Els estudis > Pla 91 > Pàgines de les assignatures > Departament ESAII > FTC Castellano | English
ACS
CAM
CI
CO
COI
CPR
DS
DSBMI
FTC
II
P
PA
ROB
SD
TDS
TET
VO



Fonaments Tecnològics dels Computadors (FTC)




Professors Responsables: JOAN CLIMENT VILARÓ (climentesaii.upc.edu)
Crèdits: 6.0 (3.0 T 1.5 P 1.5 L)

Departament: ESAII

Tipus d'assignatura

Obligatoria per la ETIS
Optativa per la EI

Requisits de l'assignatura

F - Pre-requisit per la EI , ETIS


Objectius docents

Els objectius específics d'aquesta assignatura són
l'adquisició d'un nivell bàsic de coneixements en el camp de
l'enginyeria de sistemes informàtics, pel que fa al "hardware".
A tal efecte, s'estudien les tecnologies de fabricació dels
principals dispositius d'estat sòlid, s'analitzen les famílies
lògiques d'ús comú per, finalment, assolir una capacitat
d'anàlisi dels elements i sistemes electrònics
d'incidència en el camp de la informàtica.
Les classes teòriques es complementen amb pràctiques de
laboratori, a fi de completar els objectius de caire experimental:
ensinistrament en la utilització de l'instrumental de mesura habitual
associat als equips informàtics així com el coneixement i la
familiarització amb la tecnologia electrònica.

Programa

1. Evolució tecnològica dels ordinadors
- Evolució tecnològica en el camp de l'electrònica i la

informàtica.

- Primeres generacions d'ordinadors.

2. Estat sòlid
- Semiconductors. Tipus.

- Unión PN.

- Díodes. Tipus. Característiques.

3. Transistors bipolars
- Efecte transistor

- Característiques estàtiques.

- Polarització. Tipus.

- Amplificació. Configuracions.

- El transistor en conmutació.

- Circuits bàsics.

4. Transistors d'efecte camp
- Transistors JFET. Característiques.

- Els transistors MOS. Tipus i característiques.

- Circuits bàsics.

5. Circuits integrats digitals
- Concepte d'integració.

- Tecnologia de fabricació dels CI.

- Principals famílies. Evolució.

- Alta escala d'integració. Situació actual i

perspectives.

Avaluació

L'avaluació i qualificació ve determinada per:
  Exàmen Parcial (P) de teoria i problemes.
  Exàmen Final (F) de teoria i problemes, on s'avaluarà del
  temari de tota l'assignatura.
  Les pràctiques de laboratori obligatòries, fetes en
  grups de dues persones. S'extraurà una nota individual
        de laboratori (L).
        S'extraura una nota de teoria i problemes (NT) a partir de les notes
        P i F de la forma:
                           NT=max { P*0.4 + F*0.6, F }
SI (NT>=4) i (L>=4) i (F>=3)
  NF=NT*0.8 + L*0.2
Altrament
  NF=mínim (NT*0.8 + L*0.2 , 4.0)

Bibliografia

Bibliografia bàsica

- PRAT VIÑAS, LL. I ALTRES Circuitos y dispositivos electrónicos. Fundamentos de electrónica. 6ª Ed. Edicions UPC, 1999
- HOROWITZ, P., HILL, W The Art of electronics 2ona.edició Cambridge Univ. Press, 1989
- SAVANT, C.J. ; RODEN, M.S.; CARPENTER, G.L Electronic circuit design The Benjamin/Cummings Publishing Co, 1987
- MILLMAN J.; GRABEL A. Microelectrónica Hispano Europea, 1993
- DEMASSA T.A.; CICCONE Z. Digital Integrated Circuits John Wiley & Sons, 1996

Bibliografia complementària

- EDMINISTER, J.A. Circuitos eléctricos. 3ª Ed. Mc Graw-Hill, 1997
- FOGIEL M. The electronics problem solver Research and Education, 1992
- SEDRA, A.; SMITH, K.C Dispositivos electrónicos y amplificación de señales Interamericana, 1989

Informació complementària

PRACTIQUES DE LABORATORI
1. Aparells de laboratori i principals components discrets.
2. Anàlisi d'un filtre RC
3. Diode i transistor BJT
4. Amplificador
5. Detecció de presència amb infra-rojos.
6. Rellotge digital.


versió per imprimir